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Tipologia: Esquemas
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9 - Explique COMO a largura da camada de depleção está relacionada com a dopagem feita nas regiões que formam a junção P-N Em primeiro lugar, precisamos entender que a Camada de depleção é formada quando os portadores majoritários do lado N se difundem nas lacunas do lado P originando assim uma diferença de concentração chamado de difusão, originando uma região onde os portadores livres realizam a recombinação, criando uma região com ausência de portadores livres devido que o processo de difusão gera uma ionização dos íons das impurezas, formando a camada de depleção com íons dopantes. A largura da Camada de Depleção está diretamente ligada com o nível de dopagem que é aplicada na junção, ou seja, quanto maior for a dopagem maior será a concentração dos íons, ou seja quando a concentração de íons dopantes é maior, há uma maior presença de íons disponíveis fazendo a neutralização da carga oposta na junção, fazendo que a camada de depleção entre em equilíbrio com uma largura menor. Quando a dopagem for menor a camada de depleção precisa ser maior para conseguir o equilíbrio devido a pouquíssima presença de íons disponíveis. Essa explicação pode ser resumida matematicamente pela seguinte equação: Onde: ℇ - Permissividade elétrica do material q- carga elétrica elementar Na – Concentração de dopantes na região P Nd – Concentração de dopantes na região N Vb – Barreira de Potencial de Junção. Observando a equação concluímos que quanto maior for permissividade do material e a tensão de barreira de potencial maior vai ser a camada de depleção. Para uma grande concentração de dopantes nas regiões P e N a largura da camada de depleção será menor devido à grande concentração de íons em um volume menor é necessário para o equilíbrio das cargas. Já para uma concentração a largura da faixa será maior devido a pequenas concentrações de dopantes e com isso é necessário um maior volume para haver equilíbrio das cargas. É importante frisar
que a largura da camada de depleção é diferente em cada lado, ou seja, a relação entre a largura da camada de depleção da região P e região N é inversamente proporcional à concentração de dopantes. Em termos práticos a relação entre a camada de depleção e a dopagem tem aplicações relevantes nos semicondutores quando se fala da Tensão de Ruptura, Capacitância de junção e em diodos e transistores, na qual será explicada cada uma das relações práticas. 1 - Tensão de Ruptura: Quando é realizado um nível de dopagem alta, a camada de depleção é reduzida fazendo reduzir a capacidade da junção de aguentar altos níveis de tensões de ruptura, exemplo dessa aplicação é diodo zener que possui uma região com grande dopagem reduzindo a largura da camada, diminuindo a tensão de ruptura proporcionando que o zener possa ter uma condução reversa para tensões extremamente baixas. 2 - Capacitância da junção: A camada de depleção pode ser representada como um modelo de um capacitor, dependendo do valor da capacitância da camada posso ter um estreitamente da camada de depleção, quanto maior a capacitância menor é a camada de depleção. 3 - Diodos e Transistores: De acordo com o nível de dopagem vou ter a criação de certos semicondutores, em diodos essa dopagem vai ter características de controle de condução e resistência da região, já nos transistores essa dopagem vai ser diretamente comportamento da base e do canal de MOSFET’s e transistores bipolares.