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Resolução de Diodo do Boersted conteudo muito bom
Tipologia: Exercícios
1 / 69
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Não perca as partes importantes!
*Observação: asteriscos indicam os problemas mais difíceis.
Seção 2.2 Análise por reta de carga
1. a) Utilizando a curva característica da Figura 2.152(b), determine ID , VD e VR para o circuito da Figura 2.152(a). b) Repita o item (a) utilizando o modelo aproximado do diodo e compare os resultados. c) Repita o item (a) utilizando o modelo ideal do diodo e compare os resultados. 2. a) Utilizando a curva característica da Figura 2.152(b), determine ID e VD para o circuito da Figura 2.153. b) Repita o item (a) com R = 0,47 kΩ. c ) Repita o item (a) com R = 0,68 kΩ. d) O valor de V (^) D é relativamente próximo a 0,7 V em cada caso? Compare os valores resultantes de ID. Comente-os.
3. Determine o valor de R para o circuito da Figura 2.153, que resulta em uma corrente no diodo de 10 mA, com E = 7 V. Utilize a curva característica da Figura 2.152(b) para o diodo. 4. a) Utilizando as curvas características aproximadas do diodo de Si, determine o valor de VD , ID e VR para o circuito da Figura 2.154.
b) Faça a mesma análise do item (a) utilizando o modelo ideal do diodo. c) Os resultados obtidos nos itens (a) e (b) sugerem que o modelo ideal pode fornecer uma boa aproximação para a resposta ideal sob determinadas condições?
V (^) D
I (^) D
+ –
R
+
-
Si
12 V 0,75 k V (^) R
(a)
+
-
E
0
30
25
20
15
10
5
ID (mA)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 V (^) D (V) 0,7 V
VD
ID
+ –
R
+
-
Si
6 V 0,2 k VR
+
-
E
V (^) D
ID
+ –
R
+
-
Si
30 V (^) 1,5 k VR
+
-
E
capítulo 2 Aplicações do diodo 107
*13. Determine Vo e ID para o circuito da Figura 2.163.
Seção 2.5 portas And/or (“e/ou”)
14. Determine Vo para o circuito da Figura 2.39 com 0 V em ambas as entradas. 15. Determine Vo para o circuito da Figura 2.39 com 10 V em ambas as entradas. 16. Determine Vo para o circuito da Figura 2.42 com 0 V em ambas as entradas. 17. Determine Vo para o circuito da Figura 2.42 com 10 V em ambas as entradas. 18. Determine Vo para a porta OR de lógica negativa da Figura 2.164. 19. Determine Vo para a porta AND de lógica negativa da Figura 2.165.
Seção 2.4 configurações em paralelo e em série-paralelo
10. Determine Vo e ID para os circuitos da Figura 2.160.
*11. Determine Vo e I para os circuitos da Figura 2.161.
12. Determine Vo 1 , Vo 2 e I para o circuito da Figura 2.162.
(a) (b)
GaAs
1 V
,
+
-
Si
,
GaAs
V o
0 V
1 kΩ
Si
Si
V o
–5 V
0 V
Si
Si
2,2kΩ
(a) (b)
20 V
4 V
GaAs
Ge
12 V
, ,
capítulo 2 Aplicações do diodo 109
20. Determine o valor de Vo para a porta da Figura 2.166. 21. Determine Vo para a configuração da Figura 2.167.
Seção 2.6 entradas senoidais: retificação de meia-onda
22. Considerando um diodo ideal, esboce v (^) i , v (^) d e i (^) d para o retificador de meia-onda da Figura 2.168. A entrada é uma forma de onda senoidal com frequência de 60 Hz. Determine o valor de pico da entrada, os valores máximo e mínimo da tensão sobre o diodo e o valor máximo da corrente pelo diodo. 23. Repita o Problema 22 com um diodo de silício ( VK = 0,7 V). 24. Repita o Problema 22 com uma carga de 10 kΩ aplicada, como mostra a Figura 2.169. Esboce vL e iL. 25. Para o circuito da Figura 2.170, esboce vo e determine V CC. *26. Para o circuito da Figura 2.171, esboce v (^) o e iR.
*27. a) Dado P máx = 14 mW para cada diodo da Figura 2.172, determine a corrente máxima nominal de cada diodo (utilizando o modelo equivalente aproximado). b) Determine I máx para os diodos em paralelo. c) Determine a corrente através de cada diodo para Vi máx utilizando os resultados do item (b). d) Se apenas um diodo estivesse presente, qual seria o resultado esperado?
+
-
+ – vi 2 kΩ
id
vd
Ideal V CC = 2 V
2 kΩ
(^2) ( V CC )
v (^) i 4,7 kΩ 68 kΩ
I máx
0 t
v (^) i 160 V
-
+
Si
Si
,
2 k 10 k
i L
RL v^ L
+
-
+ –
i (^) d
vd v (^) i
Ideal V CC^ = 2 V
Si
1 kΩ
vi 1 kΩ vo
iR
0 t
v (^) i
10 V
–10 V
-
+
-
+
110 dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
*35. Determine vo de cada circuito da Figura 2.179 para o sinal de entrada mostrado.
36. Esboce iR e vo do circuito da Figura 2.180 para o sinal de entrada mostrado a seguir.
Seção 2.9 grampeadores
37. Esboce vo de cada circuito da Figura 2.181 para o sinal de entrada mostrado a seguir. 38. Esboce v (^) o de cada circuito da Figura 2.182 para o sinal de entrada mostrado.
*39. Para o circuito da Figura 2.183: a) Calcule 5τ. b) Compare 5τ à metade do ciclo do sinal aplicado. c) Esboce a forma de onda de vo. *40. Projete um circuito grampeador para realizar a função indicada na Figura 2.184. *41. Projete um circuito grampeador para realizar a função indicada na Figura 2.185.
(a) (b)
vi 1 kΩ
-
+
- +
v (^) o
-
+
4 V Ideal
,
(a) (b)
1 kΩ
+
v (^) o
-
+
V Ideal
,
5,3 V 7,3 V
(a) (b
-
+
(a) (b)
-
+
(a)
Ideal
Ide
(a) (b)
+
-
E
Ideal
Ideal
(a) (b)
+
-
4 V
Si + –
1 kΩ
3 V
,
(a) (b)
+
-
4 V
Si + –
kΩ
3 V
,
112 dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
*43. a) Projete o circuito da Figura 2.187 para manter V (^) L em 12 V para uma variação na carga ( I (^) L ) de 0 a 200 mA. Ou seja, determine RS e VZ. b) Determine P (^) Zmáx do diodo Zener do item (a). *44. Para o circuito da Figura 2.188, determine a faixa de Vi que manterá V (^) L em 8 V e não excederá a potência máxima nominal do diodo Zener.
45. Projete um regulador de tensão que mantenha uma tensão de saída de 20 V através de uma carga de 1 kΩ, com uma entrada que varie de 30 a 50 V. Ou seja, determine o valor apropriado de R (^) S e a corrente máxima I (^) ZM.
Seção 2.11 diodos Zener *42. a) Determine VL , I (^) L , I (^) Z e I (^) R para o circuito da Figura 2.186, se RL = 180 Ω. b) Repita o item (a), se RL = 470 Ω. c) Determine o valor de R (^) L que estabelece as condições de máxima potência para o diodo Zener. d) Determine o valor mínimo de R (^) L para garantir que o diodo Zener está no estado “ligado”.
Diodos ideais
Projeto
-
–12 V +
12 V ,
VZ
VZ = 10 V PZ máx = 400 mW
Projeto
Diodos de silício
,
,
capítulo 2 Aplicações do diodo 113
Seção 3.2 Construção do transistor
1. Quais as denominações dadas aos dois tipos de transistor bipolar de junção (TBJ)? Esboce a estrutura básica de cada um e identifique seus vários portadores minoritários e ma- joritários. Desenhe o símbolo gráfico próximo a cada um. Alguma informação será alterada se trocarmos o transistor de silício por um de germânio? 2. Qual é a principal diferença entre um dispositivo bipolar e um unipolar?
Seção 3.3 operação do transistor
3. Como devem ser polarizadas as duas junções de um transis- tor para que ele opere adequadamente como amplificador? 4. Qual é a origem da corrente de fuga de um transistor? 5. Esboce uma figura semelhante à Figura 3.4(a) para a junção polarizada diretamente de um transistor npn. Indique o movimento resultante dos portadores. 6. Esboce uma figura semelhante à Figura 3.4(b) para a junção polarizada reversamente de um transistor npn. Indique o movimento resultante dos portadores. 7. Esboce uma figura semelhante à Figura 3.5 para o fluxo dos portadores majoritários e minoritários de um transistor npn. Indique o movimento dos portadores resultante. 8. Qual das correntes do transistor é sempre a maior? Qual é sempre a menor? Quais são as duas correntes relativamente próximas em amplitude? 9. Se a corrente de emissor de um transistor é de 8 mA e I (^) B é 1/100 de I (^) C , determine os valores IC e IB.
Seção 3.4 Configuração base-comum
10. De memória, esboce os símbolos para um transistor pnp e para um npn e, em seguida, introduza os sentidos de fluxo convencional para cada corrente. 11. Utilizando as curvas características da Figura 3.7, deter- mine V (^) BE em IE = 5 mA para VCB = 1, 10 e 20 V. Podemos presumir que V (^) CB tem pouca influência sobre a relação entre VBE e IE? 12. a) Determine o valor médio da resistência CA para a curva característica da Figura 3.10(b). b) Para os circuitos nos quais a magnitude dos resistores é em quiloohms, a aproximação feita na Figura 3.10(c) é válida [com base nos resultados do item (a)]? 13. a) Utilizando as curvas características da Figura 3.8, de- termine a corrente de coletor resultante, se I (^) E = 3,5 mA e VCB = 10 V. b) Repita o item (a) para I (^) E = 3,5 mA e VCB = 20 V. c) Como as modificações em VCB afetaram o valor resul- tante de I (^) C? d) Determine de maneira aproximada como I (^) E e IC estão relacionadas, com base nos resultados anteriores. 14. a) Utilizando as curvas características das figuras 3.7 e 3.8, determine IC para VCB = 5 V e VBE = 0,7 V. b) Determine VBE para IC = 5 mA e VCB = 15 V. c) Repita o item (b) utilizando as curvas características da Figura 3.10(b). d) Faça o mesmo utilizando as curvas características da Figura 3.10(c). e) Compare as soluções para VBE nos itens (b), (c) e (d). A diferença pode ser ignorada se em geral encontramos valores de tensão da ordem de poucos volts? 15. a) Dado α CA de 0,998, determine IC se I (^) E = 4 mA. b) Determine α CC se I (^) E = 2,8 mA e IB = 20 μ A. c) Determine I (^) E se IB = 40 μ A e α CC é 0,98. 16. Esboce, somente de memória, a configuração base-comum de um transistor TBJ ( npn e pnp ) e indique a polaridade da polarização aplicada e os sentidos das correntes resultantes.
Seção 3.5 Configuração emissor-comum
17. Defina ICBO e ICEO. Elas são diferentes? De que maneira se relacionam? Seus valores são normalmente próximos? 18. Utilizando as curvas da Figura 3.13: a) Determine o valor de I (^) C correspondente a VBE = + mV e VCE = +4 V. b) Determine o valor de V (^) CE e V (^) BE correspondente a I (^) C = 3,5 mA e IB = 30 μ A. *19. a) Para as curvas características de emissor-comum da Figura 3.13, determine o beta CC em um ponto de operação com V (^) CE = 6 V e IC = 3 mA. b) Determine o valor de α correspondente a esse ponto de operação. c) Em VCE = +6 V, determine o valor correspondente de ICEO. d) Calcule o valor aproximado de I (^) CBO , utilizando o valor de beta CC obtido no item (a). *20. a) Utilizando as curvas características da Figura 3.13(a), determine I (^) CEO para VCE = 10 V. b) Determine β CC para IB = 10 μ A e VCE = 10 V. c) Utilizando o valor de β CC determinado no item (b), calcule ICBO. 21. a) Utilizando as curvas características da Figura 3.13(a), determine β CC para IB = 60 μ A e VCE = 4 V. b) Repita o item (a) para I (^) B = 30 μ A e VCE = 7 V. c) Repita o item (a) para IB = 10 μ A e VCE = 10 V. d) Revendo os resultados obtidos de (a) a (c), o valor de β CC varia de ponto a ponto nas características? Onde se situam os valores mais altos? Podemos desenvolver alguma conclusão geral sobre o valor de β CC em um conjunto de características fornecidas na Figura 3.13(a)? *22. a) Utilizando as curvas características da Figura 3.13(a), determine β CA para IB = 60 μ A e VCE = 4 V. b) Repita o item (a) para I (^) B = 30 μ A e VCE = 7 V. c) Repita o item (a) para IB = 10 μ A e VCE = 10 V. d) Revendo os resultados de (a) a (c), o valor de β CA varia de ponto a ponto nas curvas características? Onde se situam os valores mais altos? Podemos desenvolver alguma conclusão sobre o valor de β CA em um conjunto de curvas características de coletor? e) Os pontos escolhidos neste exercício são os mesmos do Problema 21. Se esse problema foi resolvido, compare os valores de β CC e β CA para cada ponto e comente o resultado para cada um dos valores. 23. Utilizando as curvas características da Figura 3.13(a), determine β CC para I (^) B = 25 μ A e V (^) CE = 10 V. Calcule, então, α CC e o valor resultante de I (^) E. (Utilize o valor de I (^) C determinado por I (^) C = β CC IB ) 24. a) Dado que α CC = 0,980, determine o valor correspondente de β CC. b) Dado que β CC = 120, determine o valor correspondente de α. c) Dado que β CC = 120 e IC = 2 mA, determine IE e IB.
25. Esboce, somente de memória, a configuração emissor- -comum (para npn e pnp ) e introduza a polarização apro- priada com os sentidos de correntes para I (^) B , IC e IE.
Seção 3.6 Configuração coletor-comum
26. Uma tensão de entrada de 2 V rms (medida da base para o terra) é aplicada ao circuito da Figura 3.21. Presumindo-se que a tensão de emissor siga exatamente a tensão de base e que Vbe (rms) = 0,1 V, calcule a amplificação de tensão do circuito ( Av = Vo / Vi ) e a corrente de emissor para RE = 1 kΩ. 27. Para um transistor que apresente as curvas características da Figura 3.13, esboce as curvas de entrada e saída da configuração coletor-comum.
Seção 3.7 Limites de operação
28. Determine a região de operação para um transistor que apresente as curvas características da Figura 3.13, se IC máx = 6 mA, BVCEO = 15 V e PC máx = 35 mW. 29. Determine a região de operação para um transistor que apresente as curvas características da Figura 3.8, se I (^) C máx = 7 mA, BVCBO = 20 V e PC máx = 42 mW.
Seção 3.8 folha de dados do transistor
30. Utilizando a Figura 3.23 como referência, determine a faixa de temperatura permitida para o dispositivo em graus Fahrenheit. 31. Utilizando a informação fornecida na Figura 3.23, ob- servando P (^) D máx, VCE máx, IC máx e VCE sat, esboce os limites de operação do dispositivo. 32. Com base nos dados da Figura 3.23, qual é o valor esperado para I (^) CEO utilizando-se o valor médio de β CC? 33. Como a faixa de valores de h (^) FE [(Figura 3.23(c), normali- zada para hFE = 100] se compara com a faixa de valores de h (^) fe [(Figura 3.23(b)] para a faixa de IC entre 0,1 e 10 mA? 34. Utilizando as curvas características da Figura 3.23(d), determine se a capacitância de entrada na configuração base-comum aumenta ou diminui para valores crescentes de potencial reverso de polarização. É possível explicar por quê? *35. Utilizando as características da Figura 3.23(b), determine quanto o nível de hƒe variou de seu valor em 1 mA para seu valor em 10 mA. Observe que a escala vertical é lo- garítmica, podendo ser necessário consultar a Seção 11.2. Deve-se considerar a variação em uma situação de projeto? *36. Utilizando a curva característica da Figura 3.23(c), deter- mine o valor de β CC em I (^) C = 10 mA para os três valores de temperatura fornecidos na figura. A variação é significa- tiva para a faixa de temperatura especificada? Há algum elemento que deveria ser considerado no desenvolvimento de um projeto?
Seção 3.9 teste de transistores
37. a) Utilizando as características da Figura 3.24, determine β CA para IC = 14 mA e VCE = 3 V. b) Determine β CC em IC = 1 mA e VCE = 8 V. c) Determine β CA em IC = 14 mA e VCE = 3 V. d) Determine β CC em IC = 1 mA e VCE = 8 V. e) Como os valores de β CA e β CC se comparam em cada região? f) A aproximação β CC ≅ β CA é válida para esse conjunto de características?
Capítulo 3 transistores bipolares de junção 143
9. a) Desenhe a reta de carga para o circuito da Figura 4. nas curvas características da Figura 4.121 usando β do Problema 8 para determinar I (^) BQ. b ) Calcule o ponto Q e os valores resultantes de ICQ e VCEQ. c ) Determine o valor de β no ponto Q. d ) Como o valor do item (c) se compara com β = 125 no Problema 8? e ) Por que os resultados do Problema 9 diferem daqueles do Problema 8? 10. Dada a informação fornecida na Figura 4.123, determine: a ) R (^) C b ) RE c ) RB d ) VCE e ) VB 11. Dada a informação fornecida na Figura 4.124, determine: a ) β b ) V (^) CC c ) RB 12. Determine a corrente de saturação ( I (^) C sat) para o circuito da Figura 4.122. *13. Utilizando as curvas características da Figura 4.121, deter- mine o que se segue para uma configuração de polarização de emissor, se o ponto Q for definido para ICQ = 4 mA e VCEQ = 10 V. a ) RC se VCC = 24 V e RE = 1,2 kΩ. b ) β no ponto de operação. c ) RB.
0
10
9 8 7 6 5 4 3 2 1
5 10 15 20 25 30 V (^) CE (V)
IC (mA)
110 μA 100 μA 90 μA 80 μA 70 μA
60 μA
50 μA
40 μA
30 μA
20 μA
10 μA
I (^) B = 0 μA
270 kΩ
470 Ω
2,2 kΩ
β= 125
,
,
210 dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
d ) Potência dissipada pelo transistor. e ) Potência dissipada pelo resistor R (^) C. *14. a) Determine I (^) C e VCE para o circuito da Figura 4.118. b ) Altere o valor de β para 180 e determine o novo valor de IC e VCE para o circuito da Figura 4.118. c ) Determine o valor da variação percentual de I (^) C e V (^) CE utilizando as seguintes equações:
IC (parte b) - IC (parte a) I (^) C (parte a)
V (^) CE (parte b) - V (^) CE (parte a) V (^) CE (parte a)
d ) Determine I (^) C e VCE para o circuito da Figura 4.122. e ) Altere o valor de β para 187,5 e determine o novo valor de I (^) C e VCE para o circuito da Figura 4.122. f ) Determine o valor da variação percentual de I (^) C e V (^) CE utilizando as seguintes equações:
IC (parte c) - IC (parte d) I (^) C (parte d)
V (^) CE (parte c) - V (^) CE (parte d) V (^) CE (parte d)
g ) Em cada um dos itens anteriores, o valor de β foi au- mentado em 50%. Compare a variação percentual de IC e VCE para cada configuração e comente sobre a que parece ser menos sensível a variações em β.
Seção 4.5 Configuração de polarização por divisor de
tensão
15. Para a configuração de polarização por divisor de tensão da Figura 4.125, determine: a ) I (^) BQ b ) I (^) CQ c ) V (^) CEQ d ) V (^) C e ) V (^) E f ) V (^) B 16. a) Repita o Problema 15 para β = 140 usando o método geral (não o aproximado). b ) Quais níveis são os mais afetados? Por quê? 17. Com base na informação fornecida na Figura 4.126, de- termine: a ) I (^) C b ) V (^) E c ) V (^) B d ) R 1 18. Com base na informação dada na Figura 4.127, determine: a ) I (^) C b ) V (^) E c ) V (^) CC d ) V (^) CE e ) V (^) B f ) R 1 19. Determine a corrente de saturação ( I (^) C sat) para o circuito da Figura 4.126. 20. a) Repita o Problema 16 para β = 140 usando o método aproximado e compare os resultados. b ) O método aproximado é válido? *21. Determine os parâmetros a seguir para a configuração com divisor de tensão da Figura 4.128, utilizando o método
β
,
,
,
,
,
,
,
e 77.
, ,
,
Capítulo 4 Polarização CC — tBJ 211
b ) Compare com os resultados do Problema 27 para I (^) CQ. c ) Compare R ’ a RF/β. d ) É válida a declaração de que quanto maior R’ se comparado com R (^) F / β , mais precisa será a equação I (^) CQ
R? Prove isso usando uma derivação curta para a corrente exata ICQ. e ) Repita os itens (a) e (b) para β =240 e comente o novo valor de ICQ.
29. Para o circuito com divisor de tensão da Figura 4.130, determine: a ) I (^) C b ) VC c ) VE d ) VCE 30. a) Compare os valores de R ’ = R (^) C + R (^) E com RF/β para o circuito da Figura 4.131. b ) A aproximação ICQ > V′/R′ é válida? *31. a) Determine o valor de I (^) C e VCE para o circuito da Figura 4.131. b ) Altere o valor de β para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de I (^) C e VCE. c ) Determine o valor da variação percentual de I (^) C e V (^) CE utilizando as seguintes equações:
IC (parte b) - IC (parte a) I (^) C (parte a)
V (^) CE (parte b) - V (^) CE (parte a) V (^) CE (parte a)
d ) Compare os resultados do item (c) com os dos pro- blemas 14(c), 14(f) e 25(c). Como o circuito com realimentação do coletor se comporta comparado às outras configurações em relação à sensibilidade a variações em β?
32. Determine a faixa de valores possível para VC no circuito da Figura 4.132 utilizando o potenciômetro de 1 MΩ. (^) *** 33.** Dado V (^) B = 4 V para o circuito da Figura 4.133, determine: a ) V (^) E b ) I (^) C c ) VC d ) V (^) CE e ) IB f ) β
330 kΩ
8,2 kΩ
1.8 kΩ
β= 180
,
,
,
,
,
,
,
Capítulo 4 Polarização CC — tBJ 213
Seção 4.7 Configuração seguidor de emissor *34. Determine o valor de VE e IE para o circuito da Figura 4.134.
35. Para o circuito seguidor de emissor da Figura 4.135: a ) Determine I (^) B , IC e IE. b ) Determine VB , VC e VE. c ) Calcule VBC e VCE.
Seção 4.8 Configuração base-comum *36. Para o circuito da Figura 4.136, determine: a ) IB b ) I (^) C c ) VCE d ) VC *37. Para o circuito da Figura 4.137, determine: a ) I (^) E b ) VC c ) VCE
38. Para o circuito de base comum da Figura 4.138: a ) Usando a informação fornecida, determinar o valor de RC. b ) Encontre as correntes I (^) B e IE. c ) Determine a tensões VBC e VCE.
Seção 4.9 Configurações de polarizações combinadas *39. Para o circuito da Figura 4.139, determine: a ) IB b ) I (^) C c ) VE d ) VCE
40. Dado V (^) C = 8 V para o circuito da Figura 4.140, determine: a ) I (^) B b ) I (^) C c ) β d ) VCE
,
12 V
22 k
82 k (^) 1,2 k
B
C
E
V (^) i Vo
β = 110
β = 80
,
14 V
4 V
1,1 k
Vi
V (^) o
V (^) C = 8 V
R (^) E
R (^) C
β = 90
2,2 kΩ (^) – VCE
10 V
I (^) E
1,8 kΩ
+ VC
214 dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
47. Para o amplificador Cascode da Figura 4.143, determine: a ) As correntes de base e coletor de cada transistor. b ) As tensões V (^) B 1 , V (^) B 2 , VE 1 , V (^) C 1 , VE 2 e VC 2. 48. Para o amplificador de realimentação da Figura 4.144, determine: a ) As correntes de base e coletor de cada transistor. b ) As tensões de base, emissor e coletor de cada transistor.
Seção 4.13 espelhos de corrente
49. Calcule a corrente espelhada I na Figura 4.145. *50. Calcule as correntes de coletor para Q 1 e Q 2 na Figura 4.146.
Seção 4.14 Circuitos de fonte de corrente
51. Calcule a corrente através da carga de 2,2 kΩ no circuito da Figura 4.147. 52. Para o circuito da Figura 4.148, calcule a corrente I. *53. Calcule a corrente I no circuito da Figura 4.149.
Seção 4.15 transistores pnp
54. Determine V (^) C , VCE e IC para o circuito da Figura 4.150. 55. Determine V (^) C e IB para o circuito da Figura 4.151. 56. Determine I (^) E e VC para o circuito da Figura 4.152.
Seção 4.16 Circuitos de chaveamento com transistor *57. Usando as curvas características da Figura 4.121, determi- ne a aparência da forma de onda na saída para o circuito
VCC = 22 V
Vo C = 5 μF Q 2
Q 1
1,1 k^ RE Ω^ CE^ =^20 μF
8,2 kΩ
R (^) B 1
10 μF
C (^) s = 5 μF
V (^) i
C 1
RB 3 3,3 kΩ
RB 2 4,7 kΩ
RC 2,2 kΩ
β 2 = 120
β 1 = 60
Vo Vi
β 2 = 160
β 1 = 80
1,8 MΩ
220 Ω
12 V
,
RB
I
6 V
2,2 kΩ
28 V
1,2 kΩ
100 kΩ
β= 120
216 dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos
da Figura 4.153. Inclua os efeitos de VCE sat e determine I (^) B , IB máx e IC sat quando Vi = 10 V. Determine a resistência coletor-emissor na saturação e no corte. *58. Projete o circuito inversor da Figura 4.154 para que ele opere com uma corrente de saturação de 8 mA utilizando um transistor com um beta de 100. Utilize um valor de IB igual a 120% de I (^) B máx e resistores com valores padrão.
59. a) Utilizando as curvas características da Figura 3.23(e), determine t on e t off para uma corrente de 2 mA. Observe o uso de escalas logarítmicas e consulte a Seção 9. caso seja necessário. b ) Repita o item (a) para uma corrente de 10 mA. Qual foi a variação de t on e t off com o aumento na corrente do coletor? c ) Para os itens (a) e (b), esboce a forma de onda do pulso da Figura 4.91 e compare os resultados.
Seção 4.17 técnicas de análise de defeitos em circuitos *60. As leituras mostradas na Figura 4.155 revelam que o circuito não está funcionando corretamente. Liste tantos motivos quanto puder para as medidas obtidas.
, , ,
,
,
,
, ,
,
,
,
t
5 V
5 V
Vo
Vi
Vi
RB
RC
0 V
= 100
10 V
0 V
180 kΩ
10 V
2,4kΩ
Vo
Vi
t
Vi
Capítulo 4 Polarização CC — tBJ 217