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Lista de exercícios resolvida – Eletrônica I Circuitos com transistores 1 ) Determinar RC, RE e RB para a polarização do transistor de Si, abaixo: Dados: VCC = 20 V VCE = 3 V RC RB Malha I VCC β = 100 IB = 40 μA RC = 4 x RE RE Equações da Malha I VCC = RC. IC + VCE + RE. IE Resp: RE = 850 Ω RC = 3, 4 kΩ RB = 397, 5 kΩ IC = β. IB = 100. 40. 10 −^6 = 4000. 10 −^6 = 4 .1 03. 10 −^6 IC = 4.1 0 −^3 A = 4 mA para β ≥ 100 temos que IE ≅ IC ≅ 4 mA VCC = RC. IC + VCE + RE. IE RC = 4 x RE IE ≅ IC ≅ 4 mA VCC = 4.Re. IC + VCE + RE. IC = 4 .Re. IC + RE. IC + VCE VCC = Re. IC .( 4 + 1 )VCE VCC = 5.Re. IC + VCE RE = VCC − VCE = 20 – 3 = 17 ⇒ 5.IC 5. 4. 10 − 3
- 10 − 3
RE = 850 Ω
como RC = 4. RE, temos: RC = 4. 850 = 3400 ⇒ Equações da Malha Externa RC = 3, 4 kΩ VCC = VRB + VBE + VRE = RB. IB + VBE + RE. IE → VCC – VBE – RE. IE = RB IB RB = 20 – 0, 7 – 850. 4 .10 −^3 = 20 – 0 , 7 – 3, 4 = 15, 9. 105 ⇒ RB = 3 , 975. 105
- 10 − 6
- − 5 4 ⇒ (^) RB = 397, 5 kΩ 2 ) Determinar RB e RE para a polarização do transistor de Si, e ainda as potências dissipadas em RB e RE, para o circuito abaixo: Dados: VCC = 12 V Malha RB (^) II Malha I RE VCC
VCE = 7 V
β ≥ 100 IB = 100 μA Resp: RE = 500 Ω RB = 63 kΩ PDRE = 50 mW PDRB = 0,6 3 mW
B − Cálculo de IC IC = β. IB = 100. 10 0. 10 −^6 = 10 −^2 A ⇒ IC = 10 mA − Cálculo de RE da malha I temos: VRE = VCC – VCE ⇒ RE. IE = VCC − VCE como β ≥ 100 → IE ≅ IC ⇒ IE = 10 mA logo: RE = VCC – VCE = 12 – 7 = 5. 103 ⇒ IE 2. 10 −^3 − Cálculo de RB da malha II temos: VRB = VCE – VBE = 7 – 0, 7 ⇒ VRB = 6 ,3 V sendo VRB = RB. IB ⇒ RB = VRB = 6, 3 ⇒ IB 100. 10 − 6 − Cálculo da potência dissipada em RE
RE = 500 Ω
RB = 63 kΩ PDRE = RE. IE 2 = 500. (10. − 3 ) 2 ⇒ (^) PDRE = 50 mW − Cálculo da potência dissipada em RB PDRB = RB. I 2 =^ 63.^10
3. ( 100 .1 0 −^6 )^2 ⇒
PDRB = 0,6 3 mW 3 ) Determinar RC, RE , RB 1 e RB 2 para a polarização do transistor de Si, para o circuito abaixo: RB 1 RB 2 Malha II Malha III RC Malha I RE VCC Dados: PDRC = 25 mW PDRE = 5 mW IC = 5 mA β ≥ 100 VCE = 6 V Resp: RC = 1 kΩ RE = 200 Ω RB 1 = 20, 6 kΩ RB 2 = 3, 4 kΩ − Cálculo de RC PD^2 − RC =^ RC.^ IC ⇒^ RC =^ PDRC =^ 25.^10 ⇒ (5.10 −^3 )^2 RC = 1 kΩ − Cálculo de RE sendo β ≥ 100 temos IE ≅ IC, logo IE = 5 mA PDRE = RE. IE^2 ⇒ RE = PDRE = 5.1 0 −^3 = 0 , 2 .10^3 ⇒ (5.10 −^3 )^2
RE = 200 Ω
− Cálculo de RB 2 da malha I temos: VCC = VRC + VCE + VRE = RC. IC + VCE + RE. IE VCC = 1.10^3. 5 .10 −^3 + 6 + 200. 5. 10 −^3 ⇒ VCC = 12 V
5 ) Determinar RC, RE e RB para a polarização do transistor de Si, abaixo: Dados: VCC = 18 V RC RB (^) Malha I RE VCC
VCE = 9 V
β = 75 IB = 25 μA Resp: RE = RC = 2, 66 kΩ RB = 332 kΩ − Cálculo de RB do transistor temos: VCB = VCE – VBE = 9 – 0, 7 ⇒ VCB = 8 ,3 V VRB = VCB → RB. IB = VCB → RB = VCB = 8, 3 ⇒ IB 25. 10 −^6 RB = 332 kΩ − Cálculo de RC β = IC → IC = β. IB = 75. 25. 10 −^6 ⇒ IC = 1 , 875 mA IB da malha I temos: VCC = VRC + VCE + VRE e considerando IE ≅ IC, teremos que VRC ≅ VRE, isto porque a corrente de coletor é: IC + IB e a corrente de emissor também é IC + IB, logo: VCC = VCE + 2. VRC ⇒ VRC = VCC – VCE = 19 – 9 ⇒ VRC = 5 V 2 2 VRC = RC. IC → RC = VRC = 5 ⇒ IC 1 , 875. − 3 RC = 2,6 6 kΩ portanto: RE = 2, 66 kΩ 6 ) Determinar RC e RB para a polarização do transistor de Si, e ainda as potências dissi- padas em RB e RE, para o circuito abaixo: Dados: VCC = 10 V VCE = 6 , 25 V RC RB Malha I VCC β = 50 IB = 25 μA Resp: RB = 222 kΩ RC = 3 kΩ − Cálculo de RB do transistor temos: VCB = VCE – VBE = 6, 25 – 0 , 7 ⇒ VCB = 5, 5 5 V VRB = VCB → RB. IB = VCB → RB = VCB = 5 ,5 5 ⇒ IB 25. 10 −^6 RB = 222 kΩ
− Cálculo de RC β = IC → IC = β. IB = 50. 25. 10 − 6 ⇒ IC = 1 , 25 mA IB da malha I temos: VCC = VRC + VCE e considerando IE ≅ IC, teremos: VCC = VCE + VRC ⇒ VRC = VCC – VCE = 10 – 6 , 25 ⇒ VRC = 3, 7 5 V VRC = RC. IC → RC = VRC = 3, 75 ⇒ IC 1 , 25. 10 −^3 RC = 3 kΩ
