Download self test chapter 1 and self test chapter 2 and more Exams Electrical Engineering in PDF only on Docsity!
Uji Mandiri
1. Sumber tegangan yang ideal dimiliki Sebuah. Nol resistansi internal b. Resistensi internal yang tak terbatas c. Tegangan yang bergantung pada beban d. Arus yang bergantung pada beban
Sumber tegangan nyata memiliki Sebuah. Nol resistansi internal b. Resistensi internal yang tak terbatas c. Resistensi internal kecil d. Resistensi internal yang besar
Jika tahanan beban adalah 100 V, sumber tegangan yang kaku memiliki resistansi Sebuah. Kurang dari 1 V. b. Setidaknya 10 V. c. Lebih dari 10 k V. d. Kurang dari 10 k V.
Sumber arus yang ideal dimiliki Sebuah. Nol resistansi internal b. Resistensi internal yang tak terbatas c. Tegangan yang bergantung pada beban d. Arus yang bergantung pada beban
Sumber arus nyata memiliki Sebuah. Nol resistansi internal b. Resistensi internal yang tak terbatas c. Resistensi internal kecil d. Resistensi internal yang besar
Jika tahanan beban adalah 100 V, sumber arus yang kaku memiliki resistansi Sebuah. Kurang dari 1 V. b. Kurang dari 1 V.
c. Kurang dari 10 k V. d. Lebih dari 10 k V.
Tegangan Thevenin sama dengan
Sebuah. Tegangan beban korsleting b. Tegangan beban terbuka c. Tegangan sumber ideal d. Tegangan norton
Hambatan Thevenin sama nilainya dengan Sebuah. Resistensi beban b. Setengah dari tahanan beban c. Resistensi internal sirkuit Norton
d. Resistensi beban terbuka
Untuk mendapatkan tegangan Thevenin, Anda harus melakukannya Sebuah. Kurangi resistor beban b. Buka resistor beban c. Kurangi sumber tegangan d. Buka sumber tegangan
Untuk mendapatkan arus Norton, Anda harus melakukannya Sebuah. Kurangi resistor beban b. Buka resistor beban c. Kurangi sumber tegangan d. Buka sumber saat ini
Arus Norton kadang-kadang disebut
Sebuah. Arus beban korsleting b. Arus beban terbuka c. Thevenin saat ini d. Tegangan Thevenin
11.
12. Jembatan solder Sebuah. Mungkin menghasilkan pendek b. Dapat menyebabkan pembukaan c. Berguna di beberapa sirkuit d. Selalu memiliki daya tahan yang tinggi 13. Sambungan solder dingin Sebuah. Selalu memiliki daya tahan rendah b. Teknik penyolderan yang bagus c. Biasanya menghasilkan bukaan d. Akan menyebabkan korsleting 14. Sebuah resistor terbuka memiliki Sebuah. Arus tak terbatas yang melewatinya b. Tegangan nol di atasnya c. Tegangan tak terbatas melintasinya d. Arus nol yang melewatinya 15. Sebuah resistor korsleting memiliki Sebuah. Arus tak terbatas yang melewatinya b. Tegangan nol di atasnya c. Tegangan tak terbatas melintasinya d. Arus nol yang melewatinya 16. Sumber tegangan yang ideal dan resistansi internal adalah contoh dari Sebuah. Pendekatan yang ideal b. Pendekatan kedua c. Pendekatan yang lebih tinggi d. Model yang tepat Memperlakukan kabel penghubung sebagai konduktor dengan resistansi nol adalah contoh dari Sebuah. Pendekatan yang ideal b. Pendekatan kedua c. Pendekatan yang lebih tinggi d. Model yang tepat
17.
24 Bab 1
18. Tegangan keluar dari sumber tegangan ideal Sebuah. Apakah nol b. Apakah konstan c. Tergantung pada nilai tahanan beban
d. Tergantung pada hambatan internal
19. Arus keluar dari sumber arus ideal
Sebuah. Apakah nol b. Apakah konstan c. Tergantung pada nilai tahanan beban
d. Tergantung pada hambatan internal
20. Teorema Thevenin menggantikan rangkaian rumit yang menghadapi beban dengan
Sebuah. Sumber tegangan ideal dan resistor paralel b. Sumber arus ideal dan resistor paralel
c. Sumber tegangan ideal dan resistor seri
d. Sumber arus ideal dan resistor seri
21. Teorema Norton menggantikan sirkuit rumit yang menghadapi beban dengan
Sebuah. Sumber tegangan ideal dan resistor paralel
b. Sumber arus ideal dan resistor paralel
c. Sumber tegangan ideal dan resistor seri
d. Sumber arus ideal dan resistor seri
22. Salah satu cara untuk menyingkat perangkat adalah Sebuah. Dengan sambungan solder dingin b. Dengan jembatan solder c. Dengan memutuskannya d. Dengan membukanya 23. Derivasi adalah Sebuah. Penemuan b. Penemuan c. Diproduksi oleh matematika d. Selalu disebut teorema
pengantar 25
23. Jumlah elektron bebas dan lubang dalam semikonduktor intrinsik menurun ketika suhu
Sebuah. Menurun b. Meningkat c. Tetap sama d. Bukan dari salah satu di atas
24. Aliran elektron valensi ke kanan berarti bahwa lubang mengalir ke
Sebuah. Kiri b. Baik c. Bagaimanapun juga d. Bukan dari salah satu di atas
25. Lubang bertindak seperti
Sebuah. Atom b. Kristal c. Tuduhan negatif d. Muatan positif
26. Atom trivalen memiliki berapa banyak elektron valensi? Sebuah. 1 b. 3 c. 4 d. 5 27. Sebuah atom akseptor memiliki berapa banyak elektron valensi? Sebuah. 1 b. 3 c. 4 d. 5 28. Jika Anda ingin menghasilkan a p- jenis semikonduktor, mana dari berikut ini yang akan Anda gunakan? Sebuah. Atom akseptor b. Atom donor c. Ketidakmurnian pentavalen d. Silicon 29. Elektron adalah pembawa minoritas jenis semikonduktor yang mana? Sebuah. Ekstrinsik b. Hakiki c.n- Tipe d.p- Tipe 30. Berapa banyak elektron bebas yang melakukan a p- ketik semikonduktor berisi? Sebuah. Banyak b. Tidak ada c. Hanya yang dihasilkan oleh energi panas d. Jumlah yang sama dengan lubang 31. Perak adalah konduktor terbaik. Berapa banyak elektron valensi apakah menurutmu sudah? Sebuah. 1 b. 4 c. 18 d. 29 32. Misalkan semikonduktor intrinsik memiliki 1 miliar elektron bebas pada suhu kamar. Jika suhu turun menjadi 0 ° C, berapa banyak lubang yang ada?
Sebuah. Kurang dari 1 miliar b. 1 Milyar c. Lebih dari 1 miliar d. Mustahil untuk dikatakan
33. Sumber tegangan eksternal diterapkan ke a p- ketik semikonduktor. Jika ujung kiri kristal positif, ke arah mana pembawa mayoritas mengalir?
Sebuah. Kiri b. Baik c. Tidak keduanya d. Mustahil untuk dikatakan
34. Manakah dari berikut ini yang tidak cocok dengan grup? Sebuah. Konduktor b. Semikonduktor c. Empat elektron valensi d. Struktur kristal 35. Manakah dari berikut ini yang kira-kira sama dengan suhu kamar?
Sebuah. 0 ° C b. 25 ° C c. 50 ° C d. 75 ° C
36. Berapa banyak elektron yang ada di orbit valensi atom silikon di dalam kristal? Sebuah. 1 b. 4 c. 8 d. 14 37. Ion negatif adalah atom yang memiliki
Sebuah. Mendapatkan proton b. Kehilangan proton c. Mendapatkan elektron d. Kehilangan elektron
38. Manakah dari berikut ini yang menggambarkan sebuah n- jenis semikonduktor? Sebuah. Netral b. Bermuatan positif
c. Bermuatan negatif d. Memiliki banyak lubang
39. A p- ketik semikonduktor berisi lubang dan Sebuah. Ion positif b. Ion negatif c. Atom pentavalen d. Atom donor 40. Manakah dari berikut ini yang menjelaskan a p- jenis semikonduktor? Sebuah. Netral b. Bermuatan positif c. Bermuatan negatif d. Memiliki banyak elektron bebas 41. Jika dibandingkan dengan dioda germanium, saturasi balik dioda silikon saat ini Sebuah. Sama pada suhu tinggi b. Menurunkan c. Sama pada suhu yang lebih rendah d. Lebih tinggi 42. Apa yang menyebabkan penipisan lapisan?
Sebuah. Doping b. Rekombinasi c. Potensi penghalang d. Ion
43. Berapakah potensial penghalang dioda silikon di ruangan suhu? Sebuah. 0,3 V. b. 0,7 V. c. 1 V. d. 2 mV per derajat Celcius 44. Saat membandingkan celah energi atom germanium dan silikon, celah energi atom silikon adalah
Sebuah. Hampir sama b. Menurunkan c. Lebih tinggi d. Tak terduga
45. Dalam dioda silikon, arus balik biasanya Sebuah. Sangat kecil b. Sangat besar c. Nol d. Di wilayah kerusakan
52 Bab 2
46. Sambil mempertahankan suhu konstan, dioda silikon mengalami peningkatan tegangan bias balik. Arus saturasi dioda akan
Sebuah. Meningkatkan b. Mengurangi c. Tetap sama d. Sama dengan kebocoran permukaannya saat ini
47. Tegangan tempat longsoran terjadi disebut tegangan Sebuah. Potensi penghalang b. Lapisan penipisan c. Tegangan lutut d. Tegangan rusak 48. Lebar lapisan deplesi dioda akan berkurang bila dioda adalah
Sebuah. Maju bias b. Pertama kali dibentuk c. Membalikkan bias d. Tidak melakukan
49. Ketika tegangan balik menurun dari 10 menjadi 5 V, lapisan penipisan
Sebuah. Menjadi lebih kecil b. Menjadi lebih besar c. Tidak terpengaruh d. Rusak
50. Ketika dioda bias maju, rekombinasi elektron bebas dan lubang dapat menghasilkan
Sebuah. Panas b. Cahaya c. Radiasi d. Semua yang di atas
51. Tegangan balik 10 V melintasi dioda. Berapa voltase yang melintasi lapisan penipisan? Sebuah. 0 V. b. 0,7 V. c. 10 V. d. Bukan dari salah satu di atas 52. Celah energi dalam atom silikon adalah jarak antara pita valensi dan
Sebuah. Inti b. Pita konduksi c. Inti atom d. Ion positif
53. Arus saturasi balik berlipat ganda ketika persimpangan suhu meningkat Sebuah. 1 ° C b. 2 ° C c. 4 ° C d. 10 ° C 54. Arus bocor permukaan berlipat ganda ketika tegangan balik meningkat
Sebuah. 7% b. 100% c. 200% d. 2 mV
Semikonduktor 53
