Docsity
Docsity

Prepare for your exams
Prepare for your exams

Study with the several resources on Docsity


Earn points to download
Earn points to download

Earn points by helping other students or get them with a premium plan


Guidelines and tips
Guidelines and tips

Characteristics of Transistors: A Practical Guide for Electronics Students, Exercises of Physics

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR 1

Typology: Exercises

2020/2021
On special offer
30 Points
Discount

Limited-time offer


Uploaded on 10/10/2022

13-amirah-salwa-salsabilla
13-amirah-salwa-salsabilla ๐Ÿ‡ฎ๐Ÿ‡ฉ

5

(2)

5 documents

1 / 29

Toggle sidebar

This page cannot be seen from the preview

Don't miss anything!

bg1
LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR I
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
LABORATORIUM INSTRUMENTASI DAN PENGUKURAN
JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS BRAWIJAYA
MALANG
Nama : Amirah Salwa Salsabilla
NIM : 215090801111016
Kelompok : 06
Tgl. Praktikum : 10 Mei 2022
Nama Asisten : Muhammad Zahid Riefqi Irhamsyah
pf3
pf4
pf5
pf8
pf9
pfa
pfd
pfe
pff
pf12
pf13
pf14
pf15
pf16
pf17
pf18
pf19
pf1a
pf1b
pf1c
pf1d
Discount

On special offer

Partial preview of the text

Download Characteristics of Transistors: A Practical Guide for Electronics Students and more Exercises Physics in PDF only on Docsity!

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR I

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

LABORATORIUM INSTRUMENTASI DAN PENGUKURAN

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS BRAWIJAYA

MALANG

Nama : Amirah Salwa Salsabilla

NIM : 215090801111016

Kelompok : 06

Tgl. Praktikum : 10 Mei 2022

Nama Asisten : Muhammad Zahid Riefqi Irhamsyah

LEMBAR PENILAIAN PRAKTIKUM LAPORAN

ELEKTRONIKA DASAR I

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Tanggal Masuk Laporan : _____________________________________________________ Pukul : _____________________________________________________ Catatan: Tanggal Masuk Revisi : ______________________________________________________ Pukul : ______________________________________________________ Nilai Sementara Nilai Akhir Korektor ............................... ...... (^) CO Asisten Nama Co Asisten Kelas ...... Asisten Nama Asisten

Gambar 1.1 Struktur MOSFET Pada rangkaian elektronik, sinyal input adalah 1 atau 0. Ini selalu digunakan pada basis transistor yang mana kolektor dan emitor sebagai penghubung untuk pemutus atau pembuka rangkaian. Transistor NPN memberikan tegangan positif dari basis ke emitor dan menyebabkan hubungan kolektor ke emitter terhubung singkat yang menyebabkan transistor aktif (ON). Akibatnya, diberikan tegangan negatif atau 0V dari basis ke dan emitor menyebabkan hubungan kolektor dan emitor terbuka sehingga transistor mati (OFF). Pada transistor PNP, ketika loop kiri pada rangkaian tidak ada arus, tetapi terdapat arus yang sangat kecil melalui resistor R. Namun, sebagian besar lubang yang bergerak dari emitor ke basis berjalan melalui basis yang biasanya sempit ke persimpangan kedua. Oleh karena itu, beda potensial kolektor ke basis akan memengaruhi dan memberikan arus yang meningkat ke resistor dengan mengalir melalui kolektor ๐‘‰๐ถ akan lebih besar dari ๐‘‰๐ท ketika arus di rangkaian kolektor dikendalikan oleh arus di rangkaian emitor. Oleh karena itu, daya yang diberikan ke sirkuit emitor oleh baterai dapat lebih kecil dari daya yang diberikan ke R yang menjadikan perangkat berfungsi sebagai penguat daya. Transistor PNP memberikan tegangan negatif dari basis ke emitor. Ini akan menyalakan transistor (ON) kemudian memberikan tegangan positif atau 0V dari basis ke emitor yang akan membuat transistor mati (OFF). Frekuensi tinggi merupakan frekuensi yang tidak dapat ditangkap telinga manusia, contoh frekuensi yang dipancarkan oleh pemancaran oleh pemancaran televisi, telegram (Young Freedman, et.al., 2012). Gambar 1.2 Rangkaian Transistor PNP

Transistor efek medan atau umumnya disebut dengan FET, aliran elektron mengalir dari terminal S atau source ke terminal D atau saluran pembuangan yang dapat dikontrol oleh medan listrik dan diatur di dalam perangkat dengan potensial listrik yang sesuai untuk diterapkan ke terminal G atau gate. Dalam struktur dasar MOSTFET, untuk membentuk material tipe p sebagai substrat, kristal tunggal silikon dapat diolah dengan mudah. Saluran D (drain) dan sumber S (source) dibentuk dari tertanamnya substrat dengan dopan tipe n. lapisan isolasi silikon dioksida diendapkan pada kristal dan dua terminal logam di D (drain) dan S (source) akan menembusnya, sehingga S (source) dan D (drain) dapat membentuk kontak listrik. Lapisan logam tipis gate diendapkan menghadap saluran n. Gate diperhatikan untuk tidak membentuk kontak listrik dengan transistor yang tepat dan dipisahkan darinya oleh lapisan oksida isolasi (Halliday, et.al., 2012).

2.2.2 Penempatan Titik Kerja Transistor (Titik Q) di Tengah Garis Beban DC Langkah pertama yang haru dilakukan yaitu pada rangkaian uji, transistor ๐‘‡ 1 yaitu 2N3904 dipilih. Kemudian, saklar ๐‘† 2 , ๐‘† 3 , dan ๐‘† 5 diputus. Saklar ๐‘† 1 di ON-kan (pilih posisi NO) pada saat ini diperoleh masukan dari keluaran power supply 1. Saklar ๐‘† 4 dihubungkan. Terminal voltmeter ke titik D-E dihubungkan. Setelah itu, tegangan keluaran variabel power supply 2 diatur sehingga diperoleh regangan 9V. Pada pengaturan arus ๐ผ๐ต supaya titik Q berada di tengah garis beban DC, langkah pertama yang harus dilakukan yaitu terminal voltmeter dihubungkan ke titik C-E. Kemudian amperemeter diposisikan di ๐ผ 1. Keluaran variabel power supply 1 diatur supaya diperoleh ๐‘‰๐ถ๐ธ = 4 , 5 ๐‘‰ (atau ๐ผ๐ถ = 20 , 45 ๐‘š๐ด). Amperemeter diposisikan pada ๐ผ 1 dan arus ๐ผ๐ต (arus ๐ผ 1 ) dicatat. Terminal voltmeter dihubungkan ke titik X-E dan tegangan ๐‘‰๐‘‹๐ธ dicatat. Langkah terakhir yaitu terminal voltmeter dihubungkan ke titik B-E dan tegangan ๐‘‰๐ต๐ธ dicatat. Pada kondisi ini, tegangan ๐‘‰๐‘‹๐ธ atau tegangan keluaran variabel power supply 1 atau tegangan ๐‘‰๐ต๐ต ditunjukkan oleh voltmeter. 2.3 Gambar Alat dan Rangkaian Percobaan Gambar 2.1 Rangkaian Uji Kurva Karakteristik Transistor Gambar 2.2 Rangkaian Uji Penempatan Titik Kerja Transistor (Titik Q) di Tengah Garis Beban DC

Gambar 2.3 Voltmeter DC Gambar 3.4 Amperemeter DC Gambar 3.5 Variabel Power Supply

2.5 7.36 mA 3.0 7.45 mA 3.5 7.54 mA 4.0 7.58 mA 4.5 7.66 mA 5.0 7.72 mA 5.5 7.77 mA 6.0 7.82 mA 6.5 7.88 mA 7.0 7.93 mA 7.5 7.99 mA 8.0 8.04 mA 8.5 8.11 mA 9.0 8.14 mA 9.5 8.21 mA 10.0 8 .24 mA 3.1.3 ๐ผ๐ต = ๐ผ 1 = 100 ๐‘ข๐ด ๐‘‰๐ต๐ต = ๐‘‰๐‘‹๐ธ = 3. 02 ๐‘‰ ๐‘‰๐ด๐ธ = 794 ๐‘š๐‘‰ ๐‘‰๐ต๐ธ = 692 ๐‘š๐‘‰ VCE IC=I 2 0.0 ~ mA 0.5 11.8 mA 1.0 13.52 mA 1.5 14.19 mA 2.0 14.46 mA 2.5 14.74 mA 3.0 14.91 mA 3.5 15.09 mA 4.0 15.29 mA 4.5 15.41 mA 5.0 15.54 mA 5.5 15. 69 mA 6.0 15.83 mA 6.5 15.98 mA 7.0 16.12 mA 7.5 16.29 mA 8.0 16.4 mA 8.5 16.57 mA 9.0 16.69 mA 9.5 16.86 mA 10.0 17 mA

VCE IC=I 2

0.0 ~ mA 0.5 16.29 mA 1.0 18.67 mA 1.5 20.13 mA 2.0 21 mA 2.5 21.53 mA 3.0 21.89 mA 3.5 22.24 mA 4.0 22.57 mA 4.5 22.85 mA 5.0 23.12 mA 5.5 23.33 mA 6.0 23.69 mA 6.5 23.96 mA 7.0 24.26 mA 7.5 24.53 mA 8.0 24.77 mA 8.5 ~ mA 9.0 ~ mA 9.5 ~ mA 10.0 ~ mA 3.1.5 ๐ผ๐ต = ๐ผ 1 = 200 ๐‘ข๐ด ๐‘‰๐ต๐ต = ๐‘‰๐‘‹๐ธ = 5. 31 ๐‘‰ ๐‘‰๐ด๐ธ = 888 ๐‘š๐‘‰ ๐‘‰๐ต๐ธ = 690 ๐‘š๐‘‰ VCE IC=I 2 0.0 ~ mA 0.5 20.12 mA 1.0 23 mA 1.5 25.09 mA 2.0 26.58 mA 2.5 27.65 mA 3.0 28.479 mA 3.5 29.11 mA 4.0 29.59 mA 4.5 30.07 mA

VCE IC=I 2

0.0 ~ mA 0.5 26.8 mA 1.0 30.06 mA 1.5 32.51 mA 2.0 34.61 mA 2.5 36.4 mA 3.0 37.96 mA 3.5 39.32 mA 4.0 40.44 mA 4.5 41.49 mA 5.0 ~ mA 5.5 ~ mA 6.0 ~ mA 6.5 ~ mA 7.0 ~ mA 7.5 ~ mA 8.0 ~ mA 8.5 ~ mA 9.0 ~ mA 9.5 ~ mA 10.0 ~ mA 3.2 Grafik 3.2.1 ๐ผ๐ต = ๐ผ 1 = 0 ๐‘ข๐ด ๐‘‰๐ต๐ต = ๐‘‰๐‘‹๐ธ = 290 ๐‘‰ ๐‘‰๐ด๐ธ = 4. 1 ๐‘š๐‘‰ ๐‘‰๐ต๐ธ = 4. 7 ๐‘š๐‘‰ 3.2.2 ๐ผ๐ต = ๐ผ 1 = 50 ๐‘ข๐ด ๐‘‰๐ต๐ต = ๐‘‰๐‘‹๐ธ = 1. 85 ๐‘‰ ๐‘‰๐ด๐ธ = 719 ๐‘š๐‘‰ ๐‘‰๐ต๐ธ = 667 ๐‘š๐‘‰ 0

0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12. VCE IC=I

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12. VCE IC=I 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12. VCE IC=I 0 5 10 15 20 25 30 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12. VCE IC=I

3.3 Pembahasan 3.3.1 Analisa Prosedur 3.3.1.1 Fungsi Alat Pada praktikum karakteristik transistor, terdapat alat dan bahan yang digunakan. Setiap alat dan bahan yang digunakan terdapat fungsinya masing-masing. Voltmeter DC digunakan sebagai alat pengukur tegangan DC. Amperemeter DC digunakan sebagai pengukur arus DC. Variabel power supply digunakan sebagai alat pemberi tegangan. Rangkaian uji transistor sebagai objek percobaan yang diuji untuk dicari nilainya. 3.3.1.2 Fungsi Perlakuan Setiap alat yang digunakan pada praktikum ini terdapat caranya masing-masing agar dapat dioperasikan. Adapun cara pengoperasian alatnya. Pada percobaan pertama, langkah pertama yang harus dilakukan yaitu pada rangkaian uji, transistor ๐‘‡ 1 yaitu 2N3904 dipilih. Saklar ๐‘† 1 di OFF-kan (posisi NC dipilih). Kemudian, saklar ๐‘† 2 , ๐‘† 3 , dan ๐‘† 5 diputus. voltmeter dan amperemeter dipilih mode DC. Terminal voltmeter dihubungkan ke titik X-E dimana terminal positif ke titik X dan terminal negatif ke titik E. Pada kondisi ini, tegangan ๐‘‰๐‘‹๐ธ atau tegangan keluaran variabel power supply 1 atau tegangan ๐‘‰๐ต๐ต ditunjukkan oleh voltmeter. Variabel power supply 1 diatur supaya diperoleh tegangan keluaran 0V atau keluaran yang sekecil mungkin. Terminal voltmeter dihubungkan ke titik D- E dimana terminal positif ke titik D dan terminal negatif ke titik E. Pada kondisi ini, tegangan ๐‘‰๐ท๐ธ atau tegangan keluaran variabel power supply 2 atau tegangan ๐‘‰๐ถ๐ถ ditunjukkan oleh voltmeter. Variabel power supply 2 diatur supaya diperoleh tegangan keluaran 0V atau keluaran yang sekecil mungkin. Saklar ๐‘† 4 dihubungkan. Pada karakteristik transistor untuk ๐ผ๐ต 0 ๐œ‡๐ด, langkah pertama yang harus dilakukan yaitu saklar ๐‘† 1 dipastikan OFF (di posisi NC). Pada kondisi ini diperoleh masukan 0V. Terminal voltmeter dihubungkan ke titik A-E. amperemeter diposisikan pada ๐ผ 1. Kemudian tegangan ๐‘‰๐ด๐ธ, ๐‘‰๐ต๐ธ, dan arus ๐ผ 1 dicatat. Terminal voltmeter dihubungkan ke titik C-E. amperemeter diposisikan di ๐ผ 2. Tegangan ๐‘‰๐ถ๐ธ dan arus ๐ผ 2 dicatat. Tegangan ๐‘‰๐ถ๐ธ dinaikkan dengan keluaran variabel power supply 2 dinaikkan agar diperoleh kenaikan 0,1V. Tegangan ๐‘‰๐ถ๐ธ dan arus ๐ผ 2 dicatat.

Pada karakteristik untuk ๐ผ๐ต 50 ๐œ‡๐ด, 100 ๐œ‡๐ด, 150 ๐œ‡๐ด, 200 ๐œ‡๐ด, 250 ๐œ‡๐ด, dan 300 ๐œ‡๐ด. Langkah pertama yang dilakukan yaitu saklar ๐‘† 1 di On-kan (dipilih posisi NO). diperoleh masukan dari keluaran variabel power supply pada transistor. Langkah tersebut diulangi agar diperoleh besar arus yang lain. Pada percobaan kedua, langkah pertama yang haru dilakukan yaitu pada rangkaian uji, transistor ๐‘‡ 1 yaitu 2N3904 dipilih. Kemudian, saklar ๐‘† 2 , ๐‘† 3 , dan ๐‘† 5 diputus. Saklar ๐‘† 1 di ON-kan (pilih posisi NO) pada saat ini diperoleh masukan dari keluaran power supply 1. Saklar ๐‘† 4 dihubungkan. Terminal voltmeter ke titik D-E dihubungkan. Setelah itu, tegangan keluaran variabel power supply 2 diatur sehingga diperoleh regangan 9V. Pada pengaturan arus ๐ผ๐ต supaya titik Q berada di tengah garis beban DC, langkah pertama yang harus dilakukan yaitu terminal voltmeter dihubungkan ke titik C-E. Kemudian amperemeter diposisikan di ๐ผ 1. Keluaran variabel power supply 1 diatur supaya diperoleh ๐‘‰๐ถ๐ธ = 4 , 5 ๐‘‰ (atau ๐ผ๐ถ = 20 , 45 ๐‘š๐ด). Amperemeter diposisikan pada ๐ผ 1 dan arus ๐ผ๐ต (arus ๐ผ 1 ) dicatat. Terminal voltmeter dihubungkan ke titik X-E dan tegangan ๐‘‰๐‘‹๐ธ dicatat. Langkah terakhir yaitu terminal voltmeter dihubungkan ke titik B- E dan tegangan ๐‘‰๐ต๐ธ dicatat. Pada kondisi ini, tegangan ๐‘‰๐‘‹๐ธ atau tegangan keluaran variabel power supply 1 atau tegangan ๐‘‰๐ต๐ต ditunjukkan oleh voltmeter. 3.3.2 Analisa Hasil Berdasarkan kurva karakteristik transistor, diperoleh masing-masing daerah kerja sebuah transistor. Karakteristik transistor dapat digunakan dalam analisis arus dan tegangan transistor. Pada daerah potong atau cut-off , dioda emiter diberi pra tegangan mundur yang dapat mengakibatkan tidak terjadinya pergerakan elektro yang menjadi basis (๐ผ๐ต = 0 ). Serta arus pada kolektor (๐ผ๐ถ = 0 ) atau dapat disebut dengan ICEO (arus kolektor ke emiter dengan harga arus basis yaitu 0). Pada daerah saturasi, dioda emiter dan dioda kolektor diberi pra tegangan maju. Sehingga arus kolektor akan mencapai harga maksimum tanpa bergantung pada arus basis. Hal tersebut dapat menyebabkan transistor menjadi komponen yang tidak dapat dikendalikan. Agar daerah tersebut dapat dihindari, dioda kolektor harus diberi pra tegangan mundur dengan tegangan melebihi ๐‘‰๐ถ๐ธ. Daerah aktif berada diantara tegangan lutut ๐‘‰๐พ dan tegangan breakdown (๐‘‰๐ต๐‘…) serta diatas ๐ผ๐ต ๐ผ๐ถ๐‘‚. Daerah aktif terjadi apabila sambungan

BAB IV

PENUTUP

4.1 Kesimpulan Berdasarkan praktikum yang telah dilakukan, dapat disimpulkan bahwa karakteristik transistor konfigurasi common emitor saat dibiaskan di bagian masukan dan keluaran dapat dipahami, yaitu pada daerah potong atau cut-off, dioda emiter diberi pra tegangan mundur yang dapat mengakibatkan tidak terjadinya pergerakan elektro yang menjadi basis๐ผ๐ต = 0. Pada daerah saturasi, dioda emiter dan dioda kolektor diberi pra tegangan maju. Sehingga arus kolektor akan mencapai harga maksimum tanpa bergantung pada arus basis. Daerah aktif berada diantara tegangan lutut ๐‘‰๐พ dan tegangan breakdown ๐‘‰๐ต๐‘…serta diatas ๐ผ๐ต๐ผ๐ถ๐‘‚. Daerah aktif terjadi apabila sambungan emiter diberi pra tegangan maju dan sambungan kolektor diberi pra tegangan balik. Pada daerah aktif, arus kolektor berbanding lurus dengan arus balik. Penguat sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat aktif. 4.2 Saran Untuk mengantisipasi dan meminimalisir kesalahan dalam pengukuran sebaiknya praktikan harus lebih memahami cara-cara yang berkaitan dengan praktikum yang akan dilakukan dikemudian hari, bisa dengan membaca materi, bertanya kepada kakak asisten, atau bertanya kepada dosen. Tetapi bukan hanya dari praktikan saja, tetapi kakak asisten praktikum yang mengajar diharapkan lebih jelas dalam menjelaskan.

DAFTAR PUSTAKA

Budiharto Widodo. 2015. Teknik Reparasi PC & Monitor. Jakarta. Elex Media Komputindo Halliday, D., Resnick, R., & Walker, J. 2012. Fundamental of Physics. Hokoben: John Wiley & Sons, Inc Serway, R., & Jewett, W. 2013. Physics for Scientist and Engineers with Modern Physics. United States: Saunders College Publishing Young, Hugh D., Freedman, Roger A., & Ford, A. Lewis. 2012. Sears and Zemanskyโ€™s University Physics with Modern Physics. 13th^ Edition. Boston: Addison-Wesley