Docsity
Docsity

Prepare for your exams
Prepare for your exams

Study with the several resources on Docsity


Earn points to download
Earn points to download

Earn points by helping other students or get them with a premium plan


Guidelines and tips
Guidelines and tips

Laporan Elektronika Dasar II BAB 1, Study Guides, Projects, Research of Physics

Laporan Elektronika Dasar II BAB 1

Typology: Study Guides, Projects, Research

2021/2022

Uploaded on 11/10/2022

gathansavero28
gathansavero28 🇮🇩

5

(2)

2 documents

1 / 21

Toggle sidebar

This page cannot be seen from the preview

Don't miss anything!

bg1
LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
RANGKAIAN DC BIAS PEMBAGI TEGANGAN
LABORATORIUM INSTRUMENTASI DAN PENGUKURAN
JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS BRAWIJAYA
MALANG
Nama : Muhammad Gathan A. Savero
NIM : 215090300111006
Kelompok : 07
Tgl. Praktikum : 7 Oktober 2022
Nama Asisten : Dicky Prasetya Pangestu Aji
pf3
pf4
pf5
pf8
pf9
pfa
pfd
pfe
pff
pf12
pf13
pf14
pf15

Partial preview of the text

Download Laporan Elektronika Dasar II BAB 1 and more Study Guides, Projects, Research Physics in PDF only on Docsity!

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II

RANGKAIAN DC BIAS PEMBAGI TEGANGAN

LABORATORIUM INSTRUMENTASI DAN PENGUKURAN

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS BRAWIJAYA

MALANG

Nama : Muhammad Gathan A. Savero

NIM : 215090300111006

Kelompok : 07

Tgl. Praktikum : 7 Oktober 2022

Nama Asisten : Dicky Prasetya Pangestu Aji

LEMBAR PENILAIAN PRAKTIKUM LAPORAN

ELEKTRONIKA DASAR II

RANGKAIAN DC BIAS PEMBAGI TEGANGAN

Tanggal Masuk Laporan : _____________________________________________________

Pukul : _____________________________________________________

Catatan:

______________________________________________________________________________

______________________________________________________________________________

______________________________________________________________________________

___________________________

Tanggal Masuk Revisi : ______________________________________________________

Pukul : ______________________________________________________

Nilai Sementara Nilai Akhir

Korektor

...............................

......

Asisten

Dicky Prasetya Pangestu Aji

CO Asisten

Lutfia Vitra Erlinda

......

rangkaian bias pembagi tegangan ekivalen dengan bias emitor ditujunjukkan seperti gambar

1 .2.1 dan 1.2.2 (Malvino & Bates, 2016).

Gambar 1.2 Rangkaian yang disederhanakan (Malvino & Bates, 2016).

Garis beban adalah garis lurus yang digambarkan pada kurva kolektor di antara titik cut-

off dan saturasi dari transistor. Bisa dikatakan bahwa transistor selalu bekerja pada garis ini.

Tahanan kolektor dan tegangan sumber V CC

lah yang menentukan garis beban. Lalu untuk

membuat garis beban, harus ditentukan terlebih dahulu titik potongnya. Saat transistor dalam

keadaan cut-off, tidak ada arus kolektor yang mengalir sehingga menyebabkan tenggangan

kolektor emitor V CE

sama besarnya dengan V CC

. Saat transistor berada dalam kondisi saturasi,

V

CE

akan mendekati nol (Floyd & Buchla, 2014).

Gambar 1.2.3 Garis Beban (Floyd & Buchla, 2014).

BAB II

METODOLOGI

2.1 PERALATAN PERCOBAAN

Peralatan yang digunakan dalam praktikum rangkaian DC bias pembagi tegangan

antara lain voltmeter DC dan amperemeter AC. Lalu komponen yang diperlukan dalam

rangkaian uji antara lain tahanan R 1

27 k

Ω, tahanan R 2

4,7kΩ, tahanan R C

3,3kΩ, tahanan

R

E

680kΩ, dan transistor Q 1

2N3904 / Q

2N2222 / Q

BC547 / Q

C945 / Q

BD139.

2.2 TATA LAKSANA PERCOBAAN

Untuk percobaan penerapan sumber tegangan V CC

=9V pada rangkaian uji, langkah

pertama yang dilakukan adalah saklar S 2

dihubungkan. Pada voltmeter, mode DC dipilih.

Kaki (+) voltmeter dihubungkan ke titik A dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik D.

Variable power supply diatur agar menghasilkan tegangan 9V, dengan melihat hasil

pembacaan tegangan di voltmeter.

Untuk percobaan pengukuran tegangan pada tahanan R 1

, R

, R

C

, dan R E

, langkah

pertama yang dilakukan adalah tegangan pada tahanan R 1

(V

R

=V

AB

) diukur dengan kaki

voltmeter dihubungkan ke titik A dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik B.

Tegangan pada

tahanan R 2

(V

R

=V

BD

) diukur dengan kaki (+) voltmeter dihubungkan ke

titik B dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik D. Tegangan pada tahanan R C

(VRC=VAC) diukur dengan kaki (+) voltmeter dihubungkan ke titik A dan kaki (-)

voltmeter dihubungkan ke titik C. Tegangan

pada tahanan R E

(V

RE

=V

ED

) diukur dengan

kaki (+) voltmeter dihubungkan ke titik E dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik D.

Untuk percobaan pengukuran tegangan pada transistor, pertama-tama tegangan

V

CB transistor diukur, dengan kaki (+) voltmeter dihubungkan ke titik C dan kaki (-)

voltmeter

dihubungkan ke titik B. Tegangan V BE

transistor diukur, dengan kaki (+)

voltmeter dihubungkan ke titik B dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik E. Tegangan

V

CE

transistor diukur, dengan kaki (+) voltmeter dihubungkan ke titik C dan kaki (-)

voltmeter dihubungkan ke titik E.

Untuk percobaan pengukuran arus, pertama-tama arus I B

(I

) diukur dengan

amperemeter ditempatkan di posisi I 2

. Hasil pengukuran dapat dibaca melalui amperemeter

DC. Arus I C

(I

) diukur dengan amperemeter ditempatkan di posisi I 3

. Hasil pengukuran

dapat dibaca melalui amperemeter DC. Semua prosedur di atas diulangi untuk nilai V CC

yang lain, yaitu 10V, 11V, dan 12V.

BAB III

HASIL DAN PEMBAHASAN

3.1 DATA HASIL PERCOBAAN

3.1.1 Vcc = 9.06 Volt

Pengukuran Tegangan pada Tahanan

Titik Tegangan (volt)

𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

𝑅𝐸

Pengukuran Tegangan pada Transistor

Titik Tegangan (volt)

𝐶𝐵

𝐵𝐸

𝐶𝐸

Pengukuran Arus

Titik Arus

𝐵

4.5 mA

𝐶

1 A

3.1.2 Vcc = 10.03 Volt

Pengukuran Tegangan pada Tahanan

Titik Tegangan (volt)

𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

𝑅𝐸

Pengukuran Tegangan pada Transistor

Titik Tegangan (volt)

𝐶𝐵

𝐵𝐸

𝐶𝐸

Pengukuran Arus

Titik Arus

𝐵

5077 uA

𝐶

1226.90 mA

3.1.3 Vcc = 11.01 Volt

Pengukuran Tegangan pada Tahanan

Titik Tegangan (volt)

𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

𝑅𝐸

Pengukuran Tegangan pada Transistor

Titik Tegangan (volt)

𝐶𝐵

𝐵𝐸

𝐶𝐸

Pengukuran Arus

Titik Arus

𝐵

5795 uA

𝐶

1432.95 mA

3.1.4 Vcc = 11.96 Volt

Pengukuran Tegangan pada Tahanan

Titik Tegangan (volt)

𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

𝑅𝐸

Pengukuran Tegangan pada Transistor

Titik Tegangan (volt)

𝐶𝐵

𝐵𝐸

𝐶𝐸

3.2.3 Tegangan Pada Tahanan dengan Vcc = 11.01 Volt

𝐵

2

2

1

2

𝐶𝐶

× 11. 01 = 1. 63 𝑉

𝐸

𝐵

𝐵𝐸

𝐸

𝐸

𝐸

= 1. 46 × 10

− 3

𝐶𝑄

𝐸

= 1. 46 × 10

− 3

𝐶𝐸𝑄

𝐶𝐶

𝐶

𝐶

𝐸

= 11. 01 − 1. 46 × 10

− 3

𝐶(𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖)

𝐶𝐶

𝐶

𝐸

= 2. 76 × 10

− 3

𝐶𝐸(𝐶𝑢𝑡−𝑂𝑓𝑓)

𝐶𝐶

3.2.4 Tegangan Pada Tahanan dengan Vcc = 11.96 Volt

𝐵

2

2

1

2

𝐶𝐶

× 11. 96 = 1. 77 𝑉

𝐸

𝐵

𝐵𝐸

𝐸

𝐸

𝐸

= 1. 67 × 10

− 3

𝐶𝑄

𝐸

= 1. 67 × 10

− 3

𝐶𝐸𝑄

𝐶𝐶

𝐶

𝐶

𝐸

) = 11. 96 − 1. 67 × 10

− 3

𝐶(𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖)

𝐶𝐶

𝐶

𝐸

= 3 × 10

− 3

𝐶𝐸(𝐶𝑢𝑡−𝑂𝑓𝑓)

𝐶𝐶

3.3 GRAFIK

Gambar 3.3.1 Garis Beban DC 9.06V

Gambar 3.3.2 Garis Beban DC 10.03V

Gambar 3.3.3 Garis Beban DC 11.01V

Gambar 3.3.4 Garis Beban DC 11.96V

0

1

2

0 2 4 6 8 10

Garis Beban DC 9.06 V

0

1

2

3

0 2 4 6 8 10 12

Garis Beban DC 10.03 V

0

1

2

3

0 2 4 6 8 10 12

Garis Beban DC 11.01 V

0

1

2

3

4

0 5 10 15

Garis Beban DC 11.96 V

Pada pengukuran tegangan pada transistor, tegangan 𝑉 𝐶𝐵

transistor diukur dengan dihubungkan kaki (+) voltmeter ke titik C dan

kaki (-) voltmeter ke titik B. Tegangan 𝑉 𝐵𝐸

transistor diukur dengan

dihubungkan kaki (+) voltmeter ke titik B dan kaki (-) voltmeter ke titik

E. Tegangan 𝑉 𝐶𝐸

transistor diukur dengan dihubungkan kaki (+)

voltmeter ke titik C dan kaki (-) voltmeter ke titik E.

Pada pengukuran arus, arus 𝐼 𝐵

2

) diukur dengan ditempatkan

amperemeter di posisi 𝐼 2

. Hasil pengukuran dibaca dengan amperemeter

DC. Arus 𝐼 𝐶

3

) diukur dengan ditempatkan amperemeter di posisi 𝐼 3

Hasil pengukuran dibaca dengan amperemeter DC. Prosedur dilakukan

pengulangan untuk nilai 𝑉 𝐶𝐶

yang lain yaitu 10 V, 11 V, dan 12 V.

3.4.2 ANALISA HASIL

Pada percobaan rangkaian DC bias pembagi tegangan digunakan

beberapa nilai 𝑉 𝑐𝑐

yaitu 9.06 V, 10.03 V, 11,01 V, dan 11.96 V.

Berdasarkan data hasil percobaan, diperoleh beberapa nilai tegangan

untuk setiap masing- masing tahanan dari tiap nilai 𝑉 𝑐𝑐

. Pada nilai 𝑉 𝑐𝑐

9 .06 V dihasilkan nilai tegangan resistor 𝑉𝑅 1 = 7 .73 𝑉 , 𝑉𝑅 2 = 1. 32 𝑉

𝑅𝐶

= 3 .30 𝑉 , dan 𝑉 𝑅𝐸

= 0 .69 𝑉. Pada tegangan transistor dihasilkan

nilai 𝑉𝐶𝐵 = 4 .42 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0. 63 𝑉 , 𝑉𝐶𝐸 = 5. 04 𝑉. Pada pengukuran

arus dihasilkan nilai 𝐼 B

= 4.5 m𝐴 dan 𝐼 c

= 1 𝐴. Sehingga dihasilkan nilai

𝐵

= 1.34V, 𝑉

𝐸

𝐸

𝐶𝑄

= 10 , 49 × 10

− 4

𝐶𝐸𝑄

𝐶(𝑠𝑎𝑡)

= 2. 27 × 10

− 3

𝐴, dan 𝑉 𝐶𝐸

𝐶𝐶

≅ 9. 06 𝑉. Pada

nilai 𝑉 𝑐𝑐

= 10.03V dihasilkan nilai tegangan resistor 𝑉 𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

= 3.95 𝑉 , dan 𝑉 𝑅𝐸

= 0.83 𝑉. Pada tegangan transistor

dihasilkan nilai 𝑉𝐶𝐵 = 4. 6 𝑉 , 𝑉𝐵𝐸 = 0. 63 𝑉, 𝑉𝐶𝐸 = 5.21 𝑉. Pada pengukuran

arus dihasilkan nilai 𝐼 B

= 5 077 𝜇𝐴 dan 𝐼 C

= 1226.90 𝑚𝐴. Sehingga

dihasilkan nilai 𝑉 𝐵

𝐸

= 0.85V, 𝐼

𝐸

𝐶𝑄

= 1. 26 × 10

− 3

𝐶𝐸𝑄

= 5.01V, 𝐼

𝐶(𝑠𝑎𝑡)

= 2. 52 × 10

− 3

𝐴, dan 𝑉 𝐶𝐸

𝐶𝐶

Pada nilai 𝑉𝑐𝑐 = 11 .01 V dihasilkan nilai tegangan resistor 𝑉𝑅 1 = 9 .4 𝑉,

𝑅 2

𝑅𝐶

= 4 .61 𝑉 , dan 𝑉 𝑅𝐸

= 0. 98 𝑉. Pada tegangan transistor

dihasilkan nilai 𝑉 𝐶𝐵

𝐵𝐸

𝐶𝐸

= 5 .36 𝑉. Pada

pengukuran arus dihasilkan nilai 𝐼 B

= 5795 𝜇𝐴 dan 𝐼 C

Sehingga dihasilkan nilai 𝑉 𝐵

= 1.63V, 𝑉

𝐸

= 0.99V

𝐸

𝐶𝑄

= 1. 46 × 10

− 3

𝐶𝐸𝑄

𝐶(𝑠𝑎𝑡)

= 2. 76 × 10

− 3

𝐴, dan

≅ 𝑉𝐶𝐶 ≅ 11. 01 𝑉. Pada nilai 𝑉𝑐𝑐 = 11.96 V dihasilkan nilai

tegangan resistor 𝑉 𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

= 5. 25 𝑉 , dan 𝑉 𝑅𝐸

= 1. 12 𝑉. Pada tegangan transistor dihasilkan nilai 𝑉 𝐶𝐵

𝐵𝐸

𝐶𝐸

= 5 .55 𝑉. Pada pengukuran arus dihasilkan nilai 𝐼 B

dan 𝐼 C

= 16 34.82 𝑚𝐴. Sehingga dihasilkan nilai 𝑉 𝐵

𝐸

𝐸

𝐶𝑄

= 1. 67 × 10

− 3

𝐶𝐸𝑄

𝐶(𝑠𝑎𝑡)

= 3 × 10

− 3

𝐴, dan 𝑉 𝐶𝐸

𝐶𝐶

Sedangkan dalam perhitungan teoritis pada 𝑉 𝐶𝐶

= 9 𝑉 dihasilkan

nilai 𝑉 𝑅 1

= 3,4 𝑉 , dan 𝑉

𝑅𝐸

= 0,7 𝑉. Pada

𝐶𝐶

= 10 𝑉 dihasilkan nilai 𝑉 𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

= 4,1 𝑉 , dan

𝑅𝐸

= 0,9 𝑉. Pada 𝑉 𝐶𝐶

= 11 𝑉 dihasilkan nilai 𝑉 𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

= 4,8 𝑉 , dan 𝑉 𝑅𝐸

= 1,0 𝑉. Pada 𝑉 𝐶𝐶

= 12 𝑉 dihasilkan nilai 𝑉 𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

= 5,5 𝑉 , dan 𝑉 𝑅𝐸

= 1,1 𝑉. Pada data hasil

perhitungan dengan data perhitungan teroritis nilai 𝑉 𝐶𝐶

𝑅 1

𝑅 2

𝑅𝐶

, dan

𝑅𝐸

memiliki nilai yang hamper sama atau tidak jauh berbeda. Sehingga

dapat disimpulkan bawa perhitungan nya sesuai

Selain itu pada perhitungan diperoleh nilai 𝐼 𝐶

dan 𝑉 𝐶𝐸

yang

digunakan untuk membuat garis beban DC. Dimana dalam grafik yang

telah didapatkan dapat diambil kesimpulan bahwa apabila nilai 𝑉 𝐶𝐸

bernilai

maksimum maka akan sama dengan nilai 𝑉 𝐶𝐶

. Pada keadaan tersebut 𝐼 𝐶

bernilai 0, sehingga transistor berada dalam keadaan cut-off. Sedangkan

ketika 𝐼 𝐶

bernilai maksimum dan 𝑉 𝐶𝐸

bernilai 0 maka transistor berada

dalam keadaan saturasi.

Nilai 𝑉𝐶𝐶 yang menghasilkan posisi titik Q terbaik yaitu ketika

𝐶𝐶

bernilai 10 V. Dapat dilihat pada grafik 3.2 nilai Q yang berada pada

grafik garis beban DC tersebut berada dalam tengah-tengah. Itu berarti titik

Q pada 𝑉 𝐶𝐶

= 10 𝑉 merupakan titik kerja transistor sebagai penguat yang

memungkinkan transistor dapat menguatkan sinyal input secara maksimum

DAFTAR PUSTAKA

Floyd, T. L., & Buchla, D. L. ( 2014 ). Electronics Fundamentals: Circuits, Devices, and

Applications, Eight Edition. Harlow: Pearson.

Malvino, A., & Bates, D. (2016). Electronic principles Eighth edition. New York: McGraw-

Hill Education.

Setiyo, M. ( 2017 ). Listrik dan Elektronika Dasar Otomotif (Basic Automotive Electricity &

Electronics). Magelang: Unimma Press.

LAMPIRAN

LAMPIRAN DASAR TEORI

(Setiyo, 2017)

(Malvino & Bates, 2016)

(Floyd & Buchla, 2014)