Docsity
Docsity

Prepare for your exams
Prepare for your exams

Study with the several resources on Docsity


Earn points to download
Earn points to download

Earn points by helping other students or get them with a premium plan


Guidelines and tips
Guidelines and tips

lab 4 thi nghiem vat ly ban dan, Summaries of Innovation

Khong co gi caaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

Typology: Summaries

2021/2022

Uploaded on 08/21/2022

tam-le-khanh
tam-le-khanh 🇻🇳

1 document

1 / 25

Toggle sidebar

This page cannot be seen from the preview

Don't miss anything!

bg1
BÀI THÍ NGHIỆM 4
KHẢO SÁT BJT
Lê Khánh Tâm 211470
Lê Vi t Hoàng 2113402
Ngô Đ i Nghĩa 2111841
Lê Vi t Huỳnh Thông 2112379ế
MỤC TIÊU:
Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.
Nắm được đặc tính các linh kiện BJT loại npn, pnp
Khảo sát mạch khuếch đại, mạch đóng/ngắt dùng BJT
CHUẨN BỊ:
Chuẩn bị bài prelab
Xem lại cách sử dụng các công cụ đo VOM, DVM và Oscilloscope (dao động ký - dđk)
Department of Electronics Page | 1
Semiconductor Physic Laboratory
pf3
pf4
pf5
pf8
pf9
pfa
pfd
pfe
pff
pf12
pf13
pf14
pf15
pf16
pf17
pf18
pf19

Partial preview of the text

Download lab 4 thi nghiem vat ly ban dan and more Summaries Innovation in PDF only on Docsity!

KHẢO SÁT BJT

Lê Khánh Tâm 211470 Lê Vi tệ Hoàng 2113402 Ngô Đ iạ Nghĩa 2111841 Lê Vi tế Huỳnh Thông 2112379 MỤC TIÊU: ⮚ Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo. ⮚ Nắm được đặc tính các linh kiện BJT loại npn, pnp ⮚ Khảo sát mạch khuếch đại, mạch đóng/ngắt dùng BJT CHUẨN BỊ: ⮚ Chuẩn bị bài prelab ⮚ Xem lại cách sử dụng các công cụ đo VOM, DVM và Oscilloscope (dao động ký - dđk) Department of Electronics Page | 1

KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 2

KHẢO SÁT BJT

Giải thích. Q1: Do chỉ có P1-P2 và P1-P3 có giá trị và P1-P2 > P1-P3 nên BJT loại N-P-N. P1 là base. Do giá trị P1-P2 > P1-P3 nên P2 là E P3 là C. Q2: Do chỉ có P1-P-2 và P3-P2 có giá trị P1-P-2 < P3-P2 nên BJT loại P-N-P. P2 là base, do P1-P-2 < P3-P2 nên P3 là E P1 là C Department of Electronics Page | 4

KHẢO SÁT BJT

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu  Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT npn Chuẩn bị  Đọc xem điện trở R1 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM. R1=1000 ± 5% Ω (giá trị đọc) R1= 982 Ω (giá trị đo)  Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 2. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm uA, một VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.  Vặn biến trở VR3 về mức nhỏ nhất. Hình 1: Sơ đồ phần III Department of Electronics Page | 5

KHẢO SÁT BJT

 Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ nào? Vì sao? Khi làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ cắt. Vì khi không có dòng điện thích hợp vào Base thì transistor ngắt và không cho dòng điện đi qua. Department of Electronics Page | 7

KHẢO SÁT BJT

THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu  Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT pnp Chuẩn bị  Đọc xem điện trở R6 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM..  Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 4. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm uA, một VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce. Hình 3: Sơ đồ khối BJT pnp Department of Electronics Page | 8

KHẢO SÁT BJT

 Nếu thay vì đặt tải (điện trở+led) ở cực C, ta đặt ờ cực E như hình sau. Khi đó BJT có bão hòa được không? Vì sao? (Câu hỏi này trả lời khi nộp báo cáo, không cần trả lời lúc tiến hành thí nghiệm. Phần trả lời: BJT sẽ không hoặc rất khó bão hoà vì theo sơ đồ nối như trên. Vì để transitor pnp có bão hoà thì điện áp tại cực B phải đủ thấp hơn cực E, theo sơ đồ như hình ta có điện áp tại B tương đương hoặc lớn hơn tại C Department of Electronics Page | 10

KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 11

KHẢO SÁT BJT

IB 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA VBE 0.233 0.421 0.523 0.58 0.625 0.653 0.683 0.72 0.  Vẽ đặc tuyến vào IB-VBE ứng với hai trường hợp VCE=2V và VCE=4V.  0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0. 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 10 15 20 25 30 35 40 45 0 10 15 20 25 30 35 40 45

Đặc tuyến Ib-Vbe ứng với các giá trị Vce

Vce = 2V Logarithmic (Vce = 2V) Polynomial (Vce = 2V) Vce = 4V Logarithmic (Vce = 4V) Logarithmic (Vce = 4V) Logarithmic (Vce = 4V) Logarithmic (Vce = 4V) Polynomial (Vce = 4V) Vbe (V) Ib (mA) Nhận xét đặc tuyến đã vẽ. Vbe tăng khá đều trong khoảng Ib từ 10 đến 50 uA. Khi tăng Vce từ 2V lên 4 V giá trị Vbe giảm tương ứng với các giá trị Ib. Department of Electronics Page | 13

KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 14

KHẢO SÁT BJT

 Lặp lại thí nghiệm với IB=30uA VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V Ic 2.26 7.53 9.12 10.01 10.28 10.43 10.55 10.67 10.  Vẽ đặc tuyến ngõ ra IC-VCE ứng với 3 trường hợp trên.  Nhận xét tương quan giữa 3 đặc tuyến. Ước tính điện áp Early. Khi tăng Ib thì Ic cũng tăng theo ứng với các giá trị Vce Chọn đường Ib = 30uA, lấy gần đúng phương trình qua 2 điểm (0.3V;9.12mA) và (0.5V; 10.01mA) Ic = 4.45Vce + 7.785 =0 => Vce = -1.75 Vậy điện áp early Va xấp xỉ 1.75 V Department of Electronics Page | 16

KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 17

KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 19

KHẢO SÁT BJT

Department of Electronics Page | 20